快科技6月26日消息，据报道，三星电子2026年4至5月内存出口金额呈现大幅上涨。数据显示，三星DRAM产品平均销售单价年增幅超过400%，通用型DRAM的强劲反弹成为最大推动力。
从价格走势来看，三星在2026年第一季度将DRAM合约价上调100%后，第二季度再度环比上涨30%。以2025年底价格为基准，两季度累计涨幅约160%。
TrendForce数据显示，2026年第一季度一般型DRAM合约价季增幅度高达93%至98%。花旗预计2026年全年DRAM均价涨幅将达88%。
业内人士分析认为，通用型DRAM的短缺是本轮涨价的核心驱动力。大厂持续将产能转向DDR5与HBM等先进制程产品，进一步加剧了成熟市场的供给紧张局面。
公开资料显示，AI服务器单机DRAM搭载量为传统服务器的8至10倍，叠加通用服务器补库与AI PC普及需求，存储芯片的供需缺口持续扩大。
同时，NAND Flash价格同步进入上行通道，韩国国际贸易协会数据显示，5月韩国NAND闪存出口额同比增长206.8%，两大存储品类共同拉动三星半导体业务盈利大幅提升。
三星第一季度财报显示，DRAM与NAND混合平均售价较2025年全年均值暴涨146%。
韩国券商预测，三星第二季度营收将达到179万亿韩元，营业利润约90万亿韩元，同比增长超过19倍。
业内判断，三星存储产品议价优势将贯穿2026全年，存储业务也将成为集团年度业绩增长的核心支柱。
